Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Название: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А Раздел: Рефераты по коммуникации и связи Тип: реферат | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А »Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р-207 Екатеринбург2000 АннотацияВ данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R= , r~ , C; расчитываются TKUпр , TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода............................................ 4 2. Паспортные параметры:....................................................... 4 2.1. Электрические.......................................................... 4 2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4 3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5 3.1. При комнатной температуре.................................... 5 3.2. При повышенной...................................................... 6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6 6. Определение сопротивления базы rб................................... 9 6.1. Приближенное.......................................................... 9 6.2. Точное....................................................................... 9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10 8. Библиографический список................................................ 10 9. Затраты времени на:........................................................... 10 9.1. Информационный поиск........................................ 10 9.2. Расчеты................................................................... 10 9.3. Оформление............................................................ 10 Краткая характеристика диодаДиод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. КД213А [1]Рисунок 1 Паспортные параметры:ЭлектрическиеПостоянное прямое напряжение при I пр=10А, не более: Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А…………………………………………………………...………………………300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ Предельные эксплуатационныеПостоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200ВПостоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10АИмпульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100АИмпульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГцТепловое сопротивлениепереход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт Температура перехода: ……………………………………………………...+140°СТемпература окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С Общая таблица параметров
Вольт-амперная характеристикаПри комнатной температуреПри повышеннойРасчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25 °С
Зависимост Сб от UобрОпределение величины TKUпрям TKIобрОпределение сопротивления базы r бПриближенноеТочноеМалосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. 2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) 4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил. 5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л. Затраты времени на:a) Информационный поиск -72 часfb) Расчеты -1час (67 мин.)c) Оформление - 6 часов (357мин.)[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США |